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The integration technologies of RTD with HEMT, HBT and CMOS devices are first introduced.
首先对RTD与化合物半导体HEMT, HBT以及硅cmos器件的集成工艺进行了介绍。
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At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is studied.
最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。
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This experiment lays a foundation for the optimization of RTT and RTD HEMT monolithic integration circuit development.
实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础。
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A comprehensive analysis concerning the calculations of DC Characteristics, microwave and noise parameters of HEMT is given.
本文全面分析计算了HEMT器件的直流特性、微波和噪声参量。
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Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用。
1. 高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，而不像金属氧化物半导体场效应管那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子迁移率晶体管可以在极高频下工作，因此在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。