1. 场效应管(Field Effect Transistor,缩写FET)是场效应晶体管的简称,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 该产品属于电压控制型半导体器件,具有3个极性,栅极、漏极和源极。 FET按照结构可以分为结型FET(JFET Junction FET)和绝缘栅FET(M0SFET :MetalOxidekmicoductor FET)。主要有两种类型:结型场效应管(junction fet-jfet)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor fet,简称mos-fet)。 该产品具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。