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Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)
垂直孔面发射激光，垂直空腔表面发射激光器
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However, oxide growth (above 435℃) follows a nonlinear law for the two geometry mesa structures which we employ in VCSEL.
但对于在VCSEL中采用的两种结构，氧化物的生长（温度高于435℃）表现为非线性生长行为。
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Replacing the previously used rubidium-based atomic vapor lamp with the VCSEL is what reduced the clock’s power consumption.
取代原者铷原子蒸汽灯与垂直腔面发射体激光器的配合，从而降低了电子钟的电力消耗。
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We deduce the expressions of VCSEL and MMF modal field , known as Laguerre-Gauss functions, and give the formula of their modal radii.
首先得出了具有拉盖尔-高斯函数形式的VCSEL与MMF的模场表达式，并给出了相应的模场半径的计算公式；
1. VCSEL，全名为垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于LED（发光二极管）和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。